What are Transistors - IGBTs - Single ?
Transistors - IGBTs - Single are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals. They are commonly utilized in applications like production electronics assembly and maintenance. Important specifications for selection include Current, which determines the maximum load the transistor can handle; Gate Charge, which affects the switching speed and efficiency; and Operating Temperature, crucial for ensuring reliability in various environments. Procurement teams should validate lifecycle status and consider alternate-source options to mitigate sourcing risks.
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| Part & Mfr | Total Stock | Pricing & RFQ | AEC Qualified | AEC-Q101 | Automotive Grade | Avalanche Energy | Breakdown Voltage | Capacitance | Clamped Inductive Load Current | Collector - Emitter Saturation Voltage | Collector Current (@ TC = 100 °C) | Collector Current (Continuous, TC=110°C) | Collector Current (DC) (Maximum @ Tc=100 °C) | Collector Current (Ic) | Collector Current (Maximum @ TC = 110 °C) | Collector Current (Maximum @ TC=100 °C) | Collector Current (Maximum @ TC=25 °C) | Collector Current (Maximum @ TC=90 °C) | Collector Current (Maximum) | Collector Current (Nominal @ TC = 100 °C) | Collector Current (Nominal) | Collector Current (Pulsed) | Collector Current - Continuous | Collector Current Continuous (Maximum @ TC=110 °C) | Collector Current Continuous (Nominal @ Tc=100 °C) | Collector Current Pulsed (ICM) | Collector Cut-Off Current | Collector Cut-Off Current (ICES) | Collector Cutoff Current (Maximum @ Vge = 0 V, Vce = 1200 V) | Collector Cutoff Current (Maximum @ Vge = 0 V, Vce = 1200 V, Tj = 175 °C) | Collector Emitter Cut Off Current (Maximum @ VGE = 0 V, VCE = 600 V, TJ = 150 °C) | Collector Emitter Cutoff Current (Maximum @ VGE = 0 V, VCE = 1200 V) | Collector Emitter Cutoff Current (Maximum @ VGE = 0 V, VCE = 600 V) | Collector Emitter Cutoff Current (Maximum @ VGE = 0 V, VCE = 600 V, TJ = 175 °C) | Collector Emitter Saturation Voltage (Typical @ Tvj=25 °C) | Collector Emitter Saturation Voltage (Typical) | Collector Emitter Saturation Voltage (Typical/Maximum @ Vge = 15 V, Ic = 20 A) | Collector Emitter Voltage (Maximum) | Collector To Emitter Saturation Voltage (Typical @ IC = 15 A, VGE = 15 V) | Collector To Emitter Saturation Voltage (Typical @ IC = 24 A, VGE = 15 V) | Collector-Emitter Breakdown Voltage | Collector-Emitter Breakdown Voltage (BVCES) | Collector-Emitter Cut-off Current | Collector-Emitter Cutoff Current | Collector-Emitter Saturation Voltage (Typical @ IC=30 A, VGE=15 V, TC=125 °C) | Collector-Emitter Saturation Voltage (Typical @ IC=40 A, VGE=15 V) | Collector-Emitter Saturation Voltage (Typical/Maximum @ Ic=75 A, VGE=15 V) | Collector-Emitter Saturation Voltage (Vce Sat) | Collector-Emitter Voltage | Collector-Emitter Voltage (VCES) | Collector-to-Emitter Breakdown Voltage | Collector-to-Emitter Leakage Current | Collector-to-Emitter Voltage (Vces) | Continuous Collector Current | Continuous Collector Current (Maximum @ 25 °C) | Continuous Collector Current (Maximum @ TC = 100 °C) | Continuous Collector Current (Maximum @ TC = 25 °C) | Continuous Collector Current (Maximum) | Current | Current (Maximum) | Current (Unspecified condition) | Current - Collector (Ic) (Max) | Current - Collector Pulsed (Icm) | Current - Collector, pulsed | Current Collector (Maximum @ TC = 100 °C) | Current Collector (Maximum @ TC = 25 °C) | Current Diode Forward (Maximum @ TC = 100 °C) | Current Diode Forward (Maximum @ TC = 25 °C) | Current Pulsed (Maximum @ Tpulse limited by TJmax) | Current Pulsed (Maximum) | DC Collector Current (Maximum @ Tc=100 °C) | Die Size | Diode Continuous Forward Current | Diode Continuous Forward Current (Maximum @ TC=100 °C) | Diode Continuous Forward Current (Maximum @ TC=25 °C) | Diode Continuous Forward Current @ TC=100°C | Diode Forward Current (Maximum @ TC=100 °C) | Diode Forward Current (Maximum @ TC=25 °C) | Diode Forward Current (Nominal @ TC = 100 °C) | Diode Forward Current (Nominal @ TC = 25 °C) | Diode Forward Current (TC=25°C) | Diode Forward Voltage | Diode Maximum Forward Current | Diode Pulsed Current | Diode thermal resistance, junction – case | Emitter-Collector Breakdown Voltage | Factory Pack Quantity | Failure Rate | Fall Time | Fall Time (Typical @ TJ=150°C) | Fall Time (Typical) | Fall Time (tf) | Fall Time (tfi) | Forward Transconductance | Forward Transconductance (gfe) | G-E Leakage Current | G-E Threshold Voltage | Gate Charge | Gate Charge (Unspecified condition) | Gate Leakage Current | Gate Threshold Voltage | Gate Threshold Voltage (Vge(th)) | Gate to Emitter Leakage Current | Gate to Emitter Threshold Voltage | Gate-Collector Charge (Qgc) | Gate-Emitter Charge | Gate-Emitter Charge (Qge) | Gate-Emitter Leakage Current | Gate-Emitter Leakage Current (IGES) | Gate-Emitter Threshold Voltage | Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)) | Gate-Emitter Voltage | Gate-Emitter Voltage (Continuous) | Gate-Emitter Voltage (Maximum) | Gate-Emitter Voltage (VGES) | Gate-to-Emitter Voltage | Gate-to-Emitter Voltage (VGES) | Gate-to-Emitter Voltage (Vge) | Halogen Free | Height | IC (Maximum @ TC=100 °C) | IC (Maximum @ Tc=25 °C) | IC (Nominal @ TC = 25 °C) | IC (Nominal @ TC=100 °C) | IF (Maximum @ TC=100 °C) | IF (Maximum @ TC=25 °C) | IGBT Type | IGBT thermal resistance, junction – case | Ic (@ TC = 110 °C) | Ic (Maximum @ TC = 110 °C) | Ic (Nominal @ Tc=110 °C) | Ic Continuous (Maximum @ Tc=100 °C) | Ic Continuous (Nominal @ Tc=100 °C) | Industrial Grade | Input Capacitance | Input Capacitance (Cies) | Input Type | Internal Emitter Inductance (LE) | Junction Temperature Max | Junction to Case Thermal Resistance | Junction-to-Case Thermal Resistance (Diode) | Junction-to-Case Thermal Resistance (IGBT) | Lead Soldering Temperature | Lead Spacing | Lead Style | Lead Temperature for Soldering | Leakage Current (Maximum @ VCE = 0, VGE = ± 20 V) | Length | Maximum Collector to Emitter dv/dt | Maximum Gate Emitter Voltage | Maximum Junction Temperature | Maximum Junction Temperature (TJ) | Maximum Lead Temp. for Soldering | Maximum Lead Temperature | Maximum Lead Temperature for Soldering | Maximum Operating Temperature | Maximum Power Dissipation (Maximum @ TC=100 °C) | Maximum Power Dissipation (Maximum @ T_C=100 °C) | Medical Grade | Minimum Operating Temperature | Mounting Style | Mounting Torque | Mounting Type | Nominal Current | Number of Pins | Operating Junction Temperature | Operating Junction Temperature Range | Operating Temperature | Operating Temperature (Minimum/Maximum) | Operating Temperature - Maximum | Output Capacitance | Output Capacitance (Coes) | PD (Maximum @ TC=100 °C) | PD (Maximum @ Tc=25 °C) | Package Code | Package Type | Packaging Type | Packing Type | Pb-Free | Pd Max (Maximum @ Tc=100 °C) | Power | Power - Max | Power Dissipation | Power Dissipation (@ TC = 25 °C) | Power Dissipation (@ Tc=100 °C) | Power Dissipation (Max) | Power Dissipation (Maximum @ TC=100 °C) | Power Dissipation (Maximum @ TC=25 °C) | Power Dissipation (Maximum) | Power Dissipation (Nominal @ TC=25 °C) | Power Dissipation (Nominal @ Tc=100 °C) | Power Dissipation (Unspecified condition) | Power Dissipation Derating | Power Dissipation Max (Maximum) | Pulse Collector Current | Pulsed Collector Current | Pulsed Collector Current (ICM) | Pulsed Collector Current (ILM/ICM) | Pulsed Collector Current (Maximum) | Pulsed Collector Current @ TC=25°C | Pulsed Diode Forward Current | Pulsed Diode Maximum Forward Current | Reflow Soldering Temperature | Reverse Recovery Time | Reverse Recovery Time (Typical) | Reverse Recovery Time (trr) | Reverse Transfer Capacitance | Reverse Transfer Capacitance (Cres) | Reverse Voltage Avalanche Energy | Rise Time | Rise Time (tr) | RthJC (Maximum) | RθJC (Maximum) | SCIS Energy | SVHC Present | Saturation Voltage (Maximum @ 15 V, 40 A) | Saturation Voltage (Maximum @ VGE = 15 V, IC = 35 A, TJ = 175 °C) | Saturation Voltage (Maximum @ VGE = 15 V, IC = 40 A, TJ = 175 °C) | Saturation Voltage (Maximum @ Vge = 15 V, Ic = 15 A, Tj = 175 °C) | Saturation Voltage (Typical @ VGE = 15 V, IC = 40 A) | Saturation Voltage (Typical @ Vge = 15 V, Ic = 15 A) | Short Circuit Withstand Time | Short circuit collector current | Soldering Temperature | Standard Package Qty | Standard Package Quantity | Storage Temperature | Storage Temperature (Tstg) | Storage Temperature Range | Storage Temperature Range (TSTG) | Supplier Device Package | Supplier Package | Switching Energy | Switching Energy (Eoff) | Switching Energy (Maximum @ on) | Switching Energy (Nominal @ off) | Switching Energy (On) | Switching Energy (Turn-Off) | Switching Energy (Typical @ off) | Switching Energy (Typical @ on) | Switching Energy (Typical) | Switching Energy (off) | Switching Energy (off) (Eoff) | Switching Energy - Turn-Off (Eoff) | Switching Safe Operating Area | Switching Safe Operating Area (SSOA) | Tape & Reel | Tape and Reel | Td (on | Td (on) / Tf (on) | Td (on/off) | Td (on/off) @ 25°C | Technology | Temperature Coeff. of Breakdown Voltage | Temperature Coefficient of Breakdown Voltage | Temperature Coefficient of Threshold Voltage | Termination Style | Test Condition | Thermal Resistance (Case to Sink) | Thermal Resistance (Junction-Ambient) | Thermal Resistance (Maximum) | Thermal Resistance (Typical) | Thermal Resistance - Junction to Case | Thermal Resistance - Junction to Case (Typical) | Thermal Resistance Junction Case (@ Diode) | Thermal Resistance Junction Case (@ IGBT) | Thermal Resistance Junction To Case (Maximum @ Diode) | Thermal Resistance Junction To Case (Maximum @ IGBT) | Thermal Resistance Junction To Case (Maximum) | Thermal Resistance Junction To Case (Nominal) | Thermal Resistance Junction To Case (Typical @ IGBT) | Thermal Resistance Junction To Case (Typical @ for Diode) | Thermal Resistance Junction To Case (Typical @ for IGBT) | Thermal Resistance Junction to Ambient (RθJA) | Thermal Resistance Junction-Case | Thermal Resistance Junction-to-Ambient | Thermal Resistance Junction-to-Case (Diode) | Thermal Resistance Junction-to-Case (IGBT) | Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | Thermal Resistance Junction-to-Case (Typical @ Diode) | Thermal Resistance, Junction to Case (RthJC) | Total Gate Charge (Qg) | Total Switching Loss | Transconductance | Transient Gate-Emitter Voltage | Transient Gate-to-Emitter Voltage | Turn off Switching Loss | Turn-Off Delay Time | Turn-Off Delay Time (Tj=25°C) | Turn-Off Delay Time (Typical) | Turn-Off Delay Time (td(off)) | Turn-Off Switching Energy | Turn-Off Switching Energy (Eoff) | Turn-Off Switching Energy (Typical) | Turn-Off Switching Loss (Eoff) | Turn-On Delay Time | Turn-On Delay Time (Typical) | Turn-On Delay Time (td(on)) | Turn-On Switching Loss | Typical Fall Time | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | Vce(on) @ Vge, Ic | Vce(sat) (Typical) | Voltage | Voltage - Collector Emitter Breakdown | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | Voltage - Maximum | Voltage Gate Emitter (Maximum) | Voltage Saturation Collector Emitter (Typical @ VGE = 15 V, IC = 25 A) | Weight | Width | Zero Gate Voltage Collector Current (ICES) | current (@ TC = 25 °C) | current (Maximum @ 25 °C) | current (Maximum @ TC = 100 °C) | current (Maximum @ TC = 110 °C) | current (Maximum @ TC = 25 °C) | current (Maximum @ TC = 25 °C, 1 ms) | current (Maximum @ TPULSE Limited by TJ Max) | current (Maximum @ tp limited by Tjmax) | current (Nominal @ Tc = 100 °C) | current (Typical @ TC = 100 °C) | pd (Nominal @ TC=100 °C) | tD(Off) | temperature (Maximum) | vcesat (Maximum @ VGE = 15 V, IC = 40 A, TJ = 175 °C) | voltage (Unspecified condition) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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Microchip Technology
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Infineon Technologies
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ROHM Semiconductor
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Infineon Technologies
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